另外，人神经干细胞迁移的电场强度阈值在16mV/mm以下，迁移方向为阴极。在电场强度为300mV/mm作用1h后表现出向阴极的强劲迁移，且平均定向性随电场强度的增加而增加，此时进行极性反转，人神经干细胞迁移方向随之改变，向新阴极移动。探索促进神经干细胞定向迁移的最佳参数可进一步提高其递送抗肿瘤药物的效率，为肿瘤治疗开辟新的途径。
 

就表皮干细胞趋电性迁移的研究结果而言，50mV/mm的电流强度是引导大鼠表皮干细胞定向迁移的阈值，迁移方向为阴极。电场强度为100mV/mm作用1h时即表现出明显的定向性，3h时迁移的定向性达到最大。因电场强度增加到250mV/mm时迁移的定向性与200mV/mm相比增幅不明显，即认为电场强度达到200mV/mm 时即进入平台期。此外，王淞学者的研究补充道，200mV/mm的电场强度不仅可以促进细胞迁移，而且可以明显增加细胞增殖速度。因此，该电场参数可在表皮干细胞定向迁移模型中使用，进一步探索创面愈合机制，为皮肤创面修复与再生的研究提供新思路。人胚胎干细胞趋电性迁移的研究结果显示，电流强度为50mV/mm时，人胚胎干细胞向阳极发生定向迁移，迁移的定向性和速度都适度增加，但无明显统计学意义；电场强度增加到150mV/mm时，定向性和迁移速度均大幅增加；直至电场强度增加到250mV/mm时。人胚胎干细胞的迁移轨迹更加直并且贴近X轴，迁移速度也明显增加。
 

出自《干细胞的趋电性迁移及机制》韩芳，舒晴，贾绍辉.